Ieee Transactions On Nuclear Science（IEEE核科學匯刊雜志）是由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版社主辦的一本以工程技術-NUCLEAR SCIENCE & TECHNOLOGY為研究方向，OA非開放（Not Open Access）的國際優(yōu)秀期刊。旨在幫助發(fā)展和壯大工程技術及相關學科的各個方面。該期刊接受多種不同類型的文章。本刊出版語言為English，創(chuàng)刊于1954年。自創(chuàng)刊以來，已被SCIE（科學引文索引擴展板）等國內(nèi)外知名檢索系統(tǒng)收錄。該雜志發(fā)表了高質(zhì)量的論文，重點介紹了NUCLEAR SCIENCE & TECHNOLOGY在分析和實踐中的理論、研究和應用。
ISSN：0018-9499
E-ISSN：1558-1578
出版商：Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
出版語言：English
出版地區(qū)：UNITED STATES
出版周期：Bimonthly
是否OA：未開放
是否預警：否
創(chuàng)刊時間：1954
年發(fā)文量：330
影響因子：1.9
研究類文章占比：99.70%
Gold OA文章占比：16.44%
H-index：110
出版國人文章占比：0.13
出版撤稿文章占比：
開源占比：0.15...
文章自引率：0.2777...
《Ieee Transactions On Nuclear Science》是一份國際優(yōu)秀期刊，為工程技術領域的研究人員和從業(yè)者提供科學論壇。該期刊涵蓋了工程技術及相關學科的所有方面，包括基礎和應用研究，使讀者能夠獲得來自世界各地的最新、前沿的研究。該期刊歡迎涉及工程技術領域的原創(chuàng)理論、方法、技術和重要應用的稿件，并刊載了涉及工程技術領域的相關欄目：綜述、論著、述評、論著摘要等。所有投稿都有望達到高標準的科學嚴謹性，并為推進該領域的科研知識傳播做出貢獻。該期刊最新CiteScore值為3.7，最新影響因子為1.9，SJR指數(shù)為0.537，SNIP指數(shù)為1.339。
CiteScore指標的應用非常廣泛，以期刊的引用次數(shù)為基礎評估期刊的影響力。它可以反映期刊的學術影響力和學術水平，是學術界常用的期刊評價指標之一。
| CiteScore | SJR | SNIP | CiteScore 排名 | ||||||||||||||||
| 3.7 | 0.537 | 1.339 |
|
CiteScore是由Elsevier公司開發(fā)的一種用于衡量科學期刊影響力的指標，以期刊的引用次數(shù)為基礎評估期刊的影響力。這個指標是由Scopus數(shù)據(jù)庫支持，以四年為一個時段，連續(xù)評估期刊和叢書的引文影響力的。具體來說，CiteScore是計算某期刊連續(xù)三年發(fā)表的論文在第四年度的篇均引用次數(shù)。CiteScore和影響因子（IF）有所不同。例如，在影響因子的計算中，分子是來自所有文章的引用次數(shù)，包括編輯述評、讀者來信、更正信息和新聞等非研究性文章，而分母則不包括這些非研究性文章。然而，在CiteScore的計算中，分子和分母都包括這些非研究性文章。因此，如果這些非研究性文章比較多，由于分母較大，相較于影響因子，CiteScore計算出來的分數(shù)可能會偏低。此外，CiteScore的引用數(shù)據(jù)來自Scopus數(shù)據(jù)庫中的22000多個期刊，比影響因子來自Web of Science數(shù)據(jù)庫的11000多個期刊多了一倍。
| 按JIF指標學科分區(qū) | 收錄子集 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
| 學科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q3 | 211 / 352 |
40.2% |
| 學科：NUCLEAR SCIENCE & TECHNOLOGY | SCIE | Q1 | 10 / 40 |
76.3% |
| 按JCI指標學科分區(qū) | 收錄子集 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
| 學科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q2 | 149 / 354 |
58.05% |
| 學科：NUCLEAR SCIENCE & TECHNOLOGY | SCIE | Q2 | 13 / 40 |
68.75% |
WOS(JCR)分區(qū)是由科睿唯安公司提出的一種新的期刊評價指標，分區(qū)越靠前一般代表期刊質(zhì)量越好，發(fā)文難度也越高。這種分級體系有助于科研人員快速了解各個期刊的影響力和地位。JCR將所有期刊按照各個學科領域進行分類，然后以影響因子為標準平均分為四個等級：Q1、Q2、Q3和Q4區(qū)。這種設計使得科研人員可以更容易地進行跨學科比較。
中科院SCI期刊分區(qū)是由中國科學院國家科學圖書館制定的。將所有的期刊按照學科進行分類，以影響因子為標準平均分為四個等級。分區(qū)越靠前一般代表期刊質(zhì)量越好，發(fā)文難度也越高。
2023年12月升級版
| Top期刊 | 綜述期刊 | 大類學科 | 小類學科 |
| 否 | 否 | 工程技術 3區(qū) |
NUCLEAR SCIENCE & TECHNOLOGY
核科學技術
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
工程：電子與電氣
2區(qū)
3區(qū)
|
2022年12月升級版
| Top期刊 | 綜述期刊 | 大類學科 | 小類學科 |
| 否 | 否 | 工程技術 3區(qū) |
NUCLEAR SCIENCE & TECHNOLOGY
核科學技術
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
工程：電子與電氣
1區(qū)
3區(qū)
|
2021年12月舊的升級版
| Top期刊 | 綜述期刊 | 大類學科 | 小類學科 |
| 否 | 否 | 工程技術 3區(qū) |
NUCLEAR SCIENCE & TECHNOLOGY
核科學技術
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
工程：電子與電氣
2區(qū)
3區(qū)
|
2021年12月基礎版
| Top期刊 | 綜述期刊 | 大類學科 | 小類學科 |
| 否 | 否 | 工程技術 4區(qū) |
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
工程：電子與電氣
NUCLEAR SCIENCE & TECHNOLOGY
核科學技術
4區(qū)
3區(qū)
|
2021年12月升級版
| Top期刊 | 綜述期刊 | 大類學科 | 小類學科 |
| 否 | 否 | 工程技術 3區(qū) |
NUCLEAR SCIENCE & TECHNOLOGY
核科學技術
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
工程：電子與電氣
2區(qū)
3區(qū)
|
2020年12月舊的升級版
| Top期刊 | 綜述期刊 | 大類學科 | 小類學科 |
| 是 | 否 | 工程技術 3區(qū) |
NUCLEAR SCIENCE & TECHNOLOGY
核科學技術
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
工程：電子與電氣
1區(qū)
3區(qū)
|
Ieee Transactions On Nuclear Science(中文譯名IEEE核科學匯刊雜志)是一本專注于工程技術,工程：電子與電氣領域的國際期刊，致力于為全球NUCLEAR SCIENCE & TECHNOLOGY領域的研究者提供一個高質(zhì)量的學術交流平臺。該期刊ISSN：0018-9499，E-ISSN：1558-1578，出版周期Bimonthly。在中科院的大類學科分類中，該期刊屬于工程技術范疇，而在小類學科中，它主要涵蓋了NUCLEAR SCIENCE & TECHNOLOGY這一領域。編輯部誠摯邀請廣大工程技術領域的專家學者投稿，內(nèi)容可以涵蓋工程技術的綜合研究、實踐應用、創(chuàng)新成果等方面。同時，我們也歡迎學者們就相關主題進行簡短的交流和評論，以促進學術界的互動與合作。為了保證期刊的質(zhì)量，審稿周期預計為 約3.0個月 。在此期間，編輯部將對所有投稿進行嚴格的同行評審，以確保發(fā)表的文章具有較高的學術價值和實用性。
值得一提的是，Ieee Transactions On Nuclear Science近期并未被列入國際期刊預警名單，這意味著其學術質(zhì)量和影響力得到了廣泛認可。該期刊為工程技術領域的學者提供了一個優(yōu)質(zhì)的學術交流平臺。因此，關注并投稿至Ieee Transactions On Nuclear Science無疑是一個明智的選擇，這將有助于提升您的學術聲譽和研究成果的傳播。
多年來，我們專注于期刊投稿服務，能夠為您分析推薦目標期刊。憑借多年來豐富的投稿經(jīng)驗和專業(yè)指導，我們有效助力提升錄用幾率。點擊以下按鈕即可免費咨詢。
投稿咨詢| 機構 | 發(fā)文量 |
| UNITED STATES DEPARTMENT OF ENERGY (DOE) | 105 |
| CHINESE ACADEMY OF SCIENCES | 100 |
| VANDERBILT UNIVERSITY | 93 |
| CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQ... | 80 |
| EUROPEAN ORGANIZATION FOR NUCLEAR RESEARCH... | 76 |
| CEA | 73 |
| ISTITUTO NAZIONALE DI FISICA NUCLEARE (INF... | 58 |
| UNIVERSITE DE TOULOUSE | 34 |
| UNIVERSITE DE MONTPELLIER | 31 |
| UNITED STATES DEPARTMENT OF DEFENSE | 29 |
| 國家 / 地區(qū) | 發(fā)文量 |
| USA | 331 |
| CHINA MAINLAND | 200 |
| France | 185 |
| Italy | 105 |
| Switzerland | 95 |
| Japan | 78 |
| GERMANY (FED REP GER) | 53 |
| South Korea | 44 |
| England | 41 |
| Russia | 37 |
| 期刊引用數(shù)據(jù) | 引用次數(shù) |
| IEEE T NUCL SCI | 1985 |
| NUCL INSTRUM METH A | 350 |
| J INSTRUM | 147 |
| APPL PHYS LETT | 112 |
| J APPL PHYS | 102 |
| IEEE T ELECTRON DEV | 84 |
| NUCL INSTRUM METH B | 60 |
| MED PHYS | 52 |
| MICROELECTRON RELIAB | 50 |
| PHYS MED BIOL | 48 |
| 期刊被引用數(shù)據(jù) | 引用次數(shù) |
| IEEE T NUCL SCI | 1985 |
| NUCL INSTRUM METH A | 1041 |
| PHYS MED BIOL | 365 |
| MICROELECTRON RELIAB | 360 |
| J INSTRUM | 341 |
| IEEE T ELECTRON DEV | 192 |
| PROG NUCL ENERG | 188 |
| ELECTRONICS-SWITZ | 168 |
| IEEE ACCESS | 160 |
| SENSORS-BASEL | 159 |
| 文章引用數(shù)據(jù) | 引用次數(shù) |
| Needs, Trends, and Advances in Inorganic S... | 53 |
| Evolution of Total Ionizing Dose Effects i... | 15 |
| Contribution of Thermal Neutrons to Soft E... | 12 |
| Displacement Damage in Silicon Detectors f... | 11 |
| Improvement of the Time Resolution of Radi... | 11 |
| Influence of LDD Spacers and H+ Transport ... | 9 |
| LHC and HL-LHC: Present and Future Radiati... | 9 |
| Thin Silicon Microdosimeter Utilizing 3-D ... | 9 |
| Luminescence and Scintillation Properties ... | 9 |
| Single-Event Burnout Mechanisms in SiC Pow... | 8 |
若用戶需要出版服務，請聯(lián)系出版商：IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141。
